HBM4争夺战尖锐化！先进封装走向台前 三星HBM 3D封装年内落地
AI飞扬将先进封装推向台前。
东说念主工智能需要越来越快的芯片，但跟着芯片尺寸接近原子级，进一步减轻芯片的资本越来越高。而将不同的芯片精致集成在一个封装中，不错减少数据传输时间和能耗。
《韩国经济日报》征引三星电子公司和音信东说念主士的话称，三星电子将在年内推出高带宽内存（HBM）的3D封装处事，意料来岁推出的第六代HBM芯片HBM4将经受这种封装面孔。
就在两周前，黄仁勋文告下一代AI平台Rubin将集成HBM4内存，瞻望于2026年发布。
垂直堆叠
三星这项被称为SAINT-D的最新封装工夫是在逻辑芯片上垂直堆叠HBM芯片，以进一步加速数据学习和推理处理速率。
现在，HBM芯片通过硅中间层在2.5D封装工夫下与逻辑芯片水平聚首。
比较之下，3D封装不需要硅中间层，也不需要在芯片之间舍弃一个薄基板，就能使它们通讯并协同使命。
由于AI芯片封装需要整合不同类型的芯片，每每芯片代工场需要与其他芯片制造商互助筹画封装。
而三星可提供HBM 3D封装的一揽子经管决策，即三星先进封装团队把内存业务部门分娩的HBM芯片与代工部门拼装的逻辑芯片进行垂直堆叠封装。
三星电子高管示意，3D封装裁减了功耗和处理蔓延，提升了半导体芯片的电信号质料。
HBM4争夺战尖锐化
值得概括的是，三星的HBM3E内存现在仍未雅致通过英伟达的测试，仍需进一步考据。而好意思光和SK海力士已在2024岁首通过了英伟达的考据，恒指期货并获取了订单。
行将推出HBM的3D封装处事意味着三星加速研发脚步，争取减轻与SK海力士在HBM4的差距。
事实上，HBM4争夺战早已打响。客岁11月就有音信称，SK海力士正与英伟达长入议论与三星决策访佛的HBM4“颠覆性”集成面孔。本年4月，SK海力士与台积电签署战术订盟契约，强化分娩HBM芯片与先进封装工夫的智商。而台积电的CoWoS工夫一直在先进封装中处于卓越地位。
另据业内东说念主士显现，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以搪塞HBM及DDR5 DRAM需求加多。
此外，好意思光也正在追逐，etnews征引业内东说念主士的话称，好意思光正在研发的下一代HBM在功耗方面比SK海力士和三星电子更具上风。
阛阓揣度机构TrendForce集邦沟通预测，跟着对低功耗、高性能芯片的需求不断增长，HBM在DRAM阛阓的份额将从2024年的21%增至2025年的30%。
摩根士丹利瞻望，到2027年，先进封装收入占大众半导体收入的比例将达到13%，而2023年的这一比例为9%。
MGI Research预测，到2032年，包括3D封装在内的先进封装阛阓限度将增长至800亿好意思元，而2023年为345亿好意思元。