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据日经亚洲12月19日报谈，Rapidus成为日本首家赢得极紫外（EUV）光刻斥地的半导体公司，依然启动在位于北海谈正在斥地的“IIM-1”芯片制造厂内装置极紫外光刻系统。 12月14日，荷兰供应商ASML坐褥的极紫外光刻系统（EUV）的第一批部件抵达机场。由于系统边界雄壮，高约3.4米，每个好意思满的单位重达71吨，约莫和一头鲸鱼同样大。它将分四个阶段进行装置，斥地装置预测在本月底完成。 EUV在卸货日经亚洲 极紫外光刻斥地蚁集了稀奇的光源、透镜和其他技能，以酿成超密致的电路图案。因为系统的

（原标题：EUV薄膜，迎来新冲破！） 若是您但愿不错时常碰头，宽饶标星储藏哦~ 来源：实质来自eetimes.jp，谢谢。 碳纳米管（CNT）看成极紫外（EUV）光刻中使用的薄膜材料而备受温雅。尽管CNT具有好多优点，但将其运用于EUV薄膜时，其分娩递次是一个问题。芬兰的 Canatu 正在接力于开发碳纳米管的新制造递次。 在现在的半导体制造业中，起首进的芯片是在 7nm 及以下代工艺中制造的，果然莫得舛误余步。尽管这个微不雅世界面对着挑战和捏续的压力，工程师和科学家仍在持续追求冲破摩尔定律极

（原标题：EUV光刻，新里程碑） 如果您但愿不错通常碰面，接待标星储藏哦~ 在进入High NA EUV光刻时期的前夜，imec揣测本事与系统/揣测系统推广高档副总裁Steven Scheer谈到了ASML-imec齐集高NA EUV光刻实验室对半导体行业的道理。 Steven Scheer暗示：“位于荷兰费尔德霍芬的 ASML-imec High NA EUV 齐集光刻实验室的开业，记号着High NA EUV 大范围出产诓骗准备责任取得里程碑式进展。伊始的内存和逻辑芯片制造商当今不错使用第

（原标题：替代EUV光刻机光源，日本决议详解） 如果您但愿不错往往碰头，接待标星储藏哦~ 1 序文 家喻户晓，凭证摩尔定律，每块芯片的晶体管数目简直每两年翻一番。光刻分辨率R取决于光源波长λ、数值孔径NA和工艺参数 k1，如下所示、 为了保握摩尔定律的灵验性，光源波长渐渐变得越来越短，这是因为分辨率与波长成线性比例。EUV光刻波长为13.5 nm，顺应Mo/Si多层反射镜的反射率。几年前为了齐全高批量分娩(HVM)，在EUV光刻技能中脱手使用250 W激光产生的等离子体(LPP)源。在LPP光

（原标题：EUV光刻机，创下新记录） 要是您但愿不错等闲碰面，接待标星储藏哦~ 来源：本体由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自tomshardware，谢谢。 ASML 在 imec 的 ITF World 2024 大会上通告，其首台高数值孔径机器现已创下新的芯片制造密度记录，超过了两个月前创下的记录。ASML 前总裁兼首席时候官 Martin van den Brink 目下在该公司担任参谋人，他还提议该公司不错设备超数值孔径（hyper NA）芯片制造用具，以进一步扩大其高数值

（原标题：重要EUV芯片制造用具供应商遭黑客舛误） 若是您但愿不错庸碌碰头，接待标星储藏哦~ 起原：本体由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自tomshardware，谢谢。 据报谈，Hunters International 盗取了 170 万份文献。 重要 EUV 芯片制造用具供应商遭到黑客舛误，被动支付 1000 万好意思元用于解锁诓骗软件 - Hoya 将黑客舛误视为“IT 系统事件”。 日本光学期间引导者 Hoya Corporation最近承认(PDF) 受到“IT 系统事

（原标题：台积电：晶圆厂规复70%，EUV 王人无受损） 要是您但愿不错泛泛碰面，接待标星储藏哦~ 开端：本色由半导体行业不雅察（ID：icbank）编译自technews，谢谢。 台积电默示，台湾于3日朝晨阅历里氏领域7.2级地震（昔日25年来最强）。新竹、龙潭和竹南等科学园区的最大震度级为5，台中庸台南科学园区的最大震度级则为4。 台积公司在台湾的晶圆厂工安系统平素，为确保东谈主员安全，依公司里面法子运行关连驻扎步调，部分厂区在第一时候进行疏散，东谈主员王人祥瑞并在证实安全后回到责任岗亭，